基本信息
所属部门中国电子科技南湖研究院
学历要求博士
专业名称存储器电路设计工程师
招聘人数3
职位类别科研人员
专业类别未填写
单位地址（工作地点）浙江省嘉兴市南湖区七星街道灵湖南路东200米（）
职位描述/研究方向
【必备】岗位职责1. SRAM bitcell的设计
2. SRAM/FLASH/MRAM内控制电路的设计，包括IO，decoder，control等模块的电路设计
3. 内部scan chain, 冗余电路的设计
4. 电路的功能仿真，margin仿真，EMIR分析
5.指导版图工程师完成版图设计工作
6. K库工作
7.完成设计，验证文档的编写工作
8. 参与测试方案的制定，编写测试文档，SI report
【必备】任职要求1)2年以上SRAM/FLASH/MRAM等存储器电路设计经验，了解SNM/WM的原理及VMIN分析，了解SA设计方法
2)熟练使用virtuoso，hspice，calibre， finesim，xps，liberateMX， totem等设计验证工具
3)具有扎实电路理论知识，熟悉存储器电路的设计原理和技巧及一定模拟电路知识
4)熟悉Linux环境
5)良好的沟通能力和学习能力"
2. SRAM/FLASH/MRAM内控制电路的设计，包括IO，decoder，control等模块的电路设计
3. 内部scan chain, 冗余电路的设计
4. 电路的功能仿真，margin仿真，EMIR分析
5.指导版图工程师完成版图设计工作
6. K库工作
7.完成设计，验证文档的编写工作
8. 参与测试方案的制定，编写测试文档，SI report
【必备】任职要求1)2年以上SRAM/FLASH/MRAM等存储器电路设计经验，了解SNM/WM的原理及VMIN分析，了解SA设计方法
2)熟练使用virtuoso，hspice，calibre， finesim，xps，liberateMX， totem等设计验证工具
3)具有扎实电路理论知识，熟悉存储器电路的设计原理和技巧及一定模拟电路知识
4)熟悉Linux环境
5)良好的沟通能力和学习能力"
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